镓未来完成近亿元A+借贷，深启投资担任独家财务顾问

投资界5同年26日传闻，已对，江门铷今后科技合资公司（以下简称“铷今后”）宣布完已成近亿元A+轮融资，由顺为资本、较低瓴创投、昕富泰克联合投资，深启投资任职独家财务顾问。至今，这家不感兴趣于较低端第三代半导体锂铷功率半导体器件开发设计和投入生产的示范服务提供商服务提供商，已筹组一年半已累计融资过2亿。本轮融资将主要用于锂铷功率CPU新的产品开发设计及领域建议书开发，此外还将用于供应链建设。

铷今后已筹组于2020年10同年，不遗余力于较低端锂铷功率半导体器件的开发设计、设计和投入生产，为客户提供来得较低效率、来得小体积、来得低已成本的硅基锂铷半导体器件的产品和整体服务提供商。其的产品除了领域于智能手机/信纸PD快充除此以外，也实现了中大功率领域桥段。目前，铷今后多款650V锂铷的产品已实现了投产销售，其中除此以外 3款低功率锂铷的产品和2款较低功率锂铷的产品。

公司共有近70名员工，吸引了Intel、TI、士兰微、TPH等传媒界头部半导体公司的人才，完已成组建了一个具备CPU开发设计、PVC测试、投入生产导入、准确性测试、质量支配和领域系统建议书等各环节的完备团队。

GaN是第三代半导体塑料的核心塑料之一，很强功率密度来得较低、体积来得小、来得低功耗的特点。由于锂铷塑料临界射穿电气场较低，电气子迁移率较低，锂铷功率半导体器件在同一个关态阻绝电气压类别很强来得较低工作频率和来得低导通电气阻等特性，电气转换损耗来得低。不但提较低效率节约电气能，而且可使电气源体积来得小，实现来得较低的功率密度。

自2018年锂铷在智能手机PD快充得到较快蓬勃发展后，低功率（以65W为亦然）领域桥段需求促使拘禁，第三代半导体锂铷功率半导体器件赛道进入较快已其发展。目前，每年；也10亿台智能智能手机叠加；也2亿台信纸等消费电气子的产品的营业额，吸引了PI、Nitas、英诺赛科等主要玩家都加入低功率锂铷功率半导体器件市场的争夺战中。

铷今后选取采用诱导结构型设计建议书，在常开型GaN半导体器件的源端串接一个常关型的低压MOSFET，实现SR半导体器件。通过半导体器件集已成的优化设计与精良PVC，克服了传统诱导结构的局限性，实现较低速而平稳的特性。

采用GaN天然的常开特性可以避免自制常关型GaN半导体器件工艺引入的毛病，加上精良的设计和已成熟自制技术，铷今后的的产品动态特性出众，准确性较低。由于其接地是同样的Si-MOSFET，接地抗噪声、抗冲击能力强，不单兼容Si基功率开关电气路的接地驱动。而且可以PVC已成插件形式，适合大功率领域桥段，领域功率范围可覆盖30W-6000W。

铷今后目前仍然实现了800W至3600W服务器电气源和算力电气源V-开发和测试，相应的锂铷的产品已先后投产。吴毅锋博士去找36锝，铷今后是国内唯一实现2000W-4000W较低效电气源达到钛金能效标准的 650V 锂铷功率半导体器件投产制造商。