半导体行业专题报告：大算力时代的先进封装投资出路

度，IP积体电机路格外注重算力更进一步提高，以Chiplet为值得一提的是的2.5D和3DPVC陶瓷转视为PVC 所需的最重要动力。

车主积体电机路PVC近来：Fan-out、SiP等再入PVC所需下再降

在车主教育籓域，再入的驾驶员辅助系统（ADAS）、电机机化和虚拟驾驶舱等善能化换用，对于再入PVC的所需慢速增高， 尤其是ADAS对于大算力积体电机路应用教育籓域于量不断更进一步提高，带摇动2.5D/3DPVC所需。 车主带电机粒子是SiPPVC的最重要应用教育籓域一幕，SIPPVC为车主外资者发放一个建模装置，将微Intel和其他功能应用再为序如SerDes、 PMICs、读取、MEMS传感装置等统合在朋友们转视为零碎的系统，在ECU、ABS、前所轮系统、机首Entertainment系统等 各个两组受益采行。 扇出形PVC（Fan-out）仍未在车主毫米波雷高达中的受益了应用教育籓域，在77GHz毫米波雷高达上的安全性已被证明优于FCBGA等 其他PVC方式，因为RDL必需发挥作用低损耗布线和表扬的RF安全性。

二、陶瓷：再入PVC与2.5D/3DPVC关键性陶瓷

AI应用教育籓域对安全性的极致生活态度与再入PVC新高科技的的发展相辅相转成

除了AI积体电机路框架本身的入展外，格外极低安全性的积体电机路往往离不开再入PVC。在AI运算中的，神经网络模框（权重、偏差、超强 模框和其他）并不需要读取在文件系统中的，常规读取装置与Intel之在在的图表运货加有速慢，转视为运算加有速更进一步提高的瓶颈，且将图表 运货的功耗极低。以外AI积体电机路通过NMP（仅有文件系统Intel）和PIM（存内执行）的框架所设计加大上述放宽。例如NMP以外 2.5DPVC语义积体电机路与HBM，3DPVC语义积体电机路与火炉夹的DRAM（HMC）。 反式集转成跃升再入DRAM的放宽，加大单位算力转采购成本：在上述蓝图中的， DRAM、语义和其他应用再为序来自完全相同的陶瓷路由装置， 并应用教育籓域于再入PVC新高科技入行连接起来，形转成反式集转成。随着人工善能框架变得越来越多数，预见AI积体电机路还将集转成来自其他籓 域（如建模、射频和光子学）的应用再为序，以及完全相同的陶瓷路由装置，满足格外多的应用教育籓域所需。

Chiplet转视为后戈登后期方向的发展

后戈登后期ChipletPVC为积体电机路仿造发放了安全性与转采购成本抵消 的最佳蓝图。随着积体电机路陶瓷体积入一步缩小，集转成电机路制 造面对着的挑战日益增大，戈登定律日趋放缓，单位真空管的 转采购成本不再降反升，应用教育籓域再入DRAM的积体电机路采购开销不断下再降。 Chiplet即“小积体电机路”是特指预再仿造好、很强特定功能、可 组转成的积体电机路（Die）。Chiplet新高科技背景下，可以将大型 单片积体电机路分为为多个相同或者完全相同的小积体电机路，这些小积体电机路可 以应用教育籓域于相同或者完全相同的陶瓷路由装置仿造，再通过跨积体电机路互联和 PVC新高科技入行PVC等级集转成，以在功率、安全性和转采购成本上都去找 到优化的抵消。

Chiplet为积体电机路仿造发放了安全性与转采购成本抵消的从新蓝图

ChipletPVC采行“小积体电机路”反式集转成，不断更进一步提高仿造良率。理论上，如果Die体积能够小，Wafer的依靠率可高达 100%。如果考虑缺陷，随着Die的加大，良率将受益更进一步提高。因此仅有几年世界性制再为仿造供应商积极的发展再入PVC陶瓷，并 且增高2.5D和3DPVC的外资花销，在后戈登定律后期的设计Chiplet转视为积体电机路零售业的发展的必然近来。 AMD以发挥作用安全性、功耗和转采购成本的抵消为要能，推行Chiplet所设计，并设想performance/W和performance/$衡量标准。 Chiplet很强转采购成本效应，但其造价随着核数的下再降而变缓，因此可能有一个价钱的皆衡点来确实确实采行Chiplet新高科技。 AMD采行“7nm+14nm”的积体电机路组蓝图相较于采行7nm仿造同样多核的积体电机路转采购成本下再降了50%左右侧。

2D-3D的再入PVC依据科学骨架和电机机连接起来不同之处区分

如果说chiplet是一种积体电机路所设计方法，反式集转成即是一种积体电机路PVC方法。为使反式集转成的ChipletPVC实 原是，并不需要借助于到2D/2.1D/2.3D/2.5D/3D等一第三部再入PVC陶瓷。再入PVC的完全相同层面主要依据多颗芯 片火炉夹的科学骨架和电机机连接起来方式为分为，例如2DPVC中的的积体电机路反之亦然连接起来到乳胶，其他PVC则以完全相同 方式的中的介层完转成互联。

2D-2.5D在XY平面上PVC多颗积体电机路，中的介层是主要关联点

2D：2DPVC是特指在乳胶的凹凸不平水平安装所有积体电机路和无源装置件的集转成方式为，积体电机路之在在的连接起来主要通过乳胶发挥作用，少数 通过键合线反之亦然连接起来。2D仅有似于近来以外TSMC的InFOPVC新高科技。 2.5D：2.5DPVC泛特指采行了中的介层（interposer）的集转成方式为，中的介层多采行硼材料。积体电机路举例来说通过MicroBump和中的 介层相连接起来，作为中的介层的硼乳胶采行Bump与乳胶相连，硼乳胶上下凹凸不平的上下凹凸不平的电机机连接起来通道举例来说由RDL与 相连硼乳胶的TSV构筑。2.5D仅有似于近来以外TSMC的CoWoS-S新高科技。 2.1D/2.3D：介于2D和2.5D硼转接框之在在， 2.1D/2.3D之在在的在在隙较为模糊，主要特点是采行乳胶、有机中的介层、极低 体积RDL或比如说乳胶的硼桥替代中的介层入行图表交换，仅有似于的近来以外Intel的EMIBPVC新高科技。由于不采行硼中的介层有效地 加大转采购成本，2.1D/2.3D在一些应用教育籓域中的被都是2.5DPVC的一种替代选项。

3DPVC在Z轴上延伸科学骨架，TSV可发挥作用极低体积电机机图表交换

3D with TSV：以外3DPVC举例来说泛特指积体电机路通过TSV反之亦然入 行极低体积图表交换，仅有似于的近来即HBM。 3D without TSV：虽然多颗积体电机路在科学骨架上重原是3D火炉夹 形态，但其电机机图表交换上皆并不需要通过乳胶（除极少数通过键 合线反之亦然连接起来的键合点），即再通过键合线/凸点连接起来到基 框，然后在乳胶上入行电机机图表交换，而非TSV。在某些一幕 下，此类集转成也被归入为2D+集转成以与3D TSV入行区分， 仅有似于近来即TSMC的InFO_PoP。

CoWoS：限于作HPC与AI计算出来教育籓域的2.5DPVC新高科技

CoWoS为HPC和AI计算出来教育籓域太快速发展教育籓域于的2.5DPVC 新高科技。带电机粒子就有在2011年发布新闻CoWoS新高科技，并在 2012年首再应用教育籓域于Xilinx的FPGA上。之后，华为海岸边 思、英伟高达、Google公司等供应商的积体电机路皆采行了CoWoS， 例如GP100（P100显卡基本），TPU 2.0。如今 CoWoS已转视为HPC和AI计算出来教育籓域太快速发展教育籓域的2.5D PVC新高科技，绝大多数应用教育籓域于HBM的极低安全性积体电机路，以外 大部分创企的AI训练积体电机路都应用教育籓域了CoWoS新高科技。 CoWoS可以分为为CoWoS-S、CoWoS-R和 CoWoS-L三种。 CoWoS-S基于硼中的介层为再入SoC和HBM发放系统 集转成；CoWoS-R格外强调小积体电机路在在的图表交换，依靠RDL发挥作用最 小4μm的布线； CoWoS-L则是最从取而代之CoWoS新高科技，紧密结合了CoWoS-S 和InFO两种新高科技的优点，应用教育籓域于RDL与LSI（本地硼互 连）入行图表交换，很强最灵巧的集转成性。

InFO：从新型拓扑蓝图年末改善安全性并增大应用教育籓域一幕

InFO_B：InFO_PoP 的DRAM PVC是定制所设计， 只能在 TSMC 仿造。另一种 InFO_B 拓扑正在技术开发 中的，以使(LPDDR) DRAM PVC必需由外部合同制 造商/OSAT发放。 InFo_L：集转成LSI的InFO相异，LSI用作两个积体电机路之 在在的互联，高达致极致图表交换带宽和转采购成本的折衷的。 InFo_oSPVC体系下的从新内置：一种潜在的 InFO_oS内置，语义积体电机路被I/O SerDes小积体电机路包 围，以全力支持极低速/极低基数网络交换机。

SoIC：相较基于微凸点的3DPVC有诸多占有优稍稍

基于微凸块的3DPVC借助于微凸点连接起来积体电机路， 在连接起来体积、安全性等上都受限。传统3DPVC 在后端陶瓷中的借助于微凸点（Pump）连接起来火炉 夹的积体电机路，但微凸点的体积很难缩小到 10μm以下，放宽了火炉夹积体电机路的I/O插头计数器。 此外，按比重排列的微凸点增高了寄生电机容、 电机阻和电机感，加大了其安全性和功率。 带电机粒子SoIC 3DPVC新高科技使积体电机路连接起来密切关系， 并在互联带宽和散热上表原是亮眼。带电机粒子 SoIC的键合新高科技在末端陶瓷完转成，接合在在距 格外小，使积体电机路格外密切关系地连接起来在朋友们，发放超强 过10K/mm2的垂直图表交换体积，用作超强极低带宽 图表交换。在热安全性上都，带电机粒子SoIC键合的热 阻比微凸点下加大35%。

AIIP对GPGPU所需旺盛，挂钩HBM显卡所需激增

GPGPU为AIIP取向协Intel选项，平皆搭载量大。IDC 调查结果说明，中的国x86IP以双路IP辅以，占去比在 80%以上。根据Omdia预测，到2026年平均30%的IP将搭 载协Intel，而GPGPU为协Intel的颇受欢迎，市场份额在10%左 右侧。与4台IP主要搭载两颗CPU的持续性完全相同，举例来说一台 加有速IP搭载4颗及以上的GPGPU。 IDC图表显示，2019年中的国AI加有速IP单机GPGPU搭载量 最多高达致20颗，加有权平皆数平均为8颗/台。单颗GPU服务设施的 HBM显卡读取容量高达致80GB，完全相同实用性量平均为800美元。

上河口供应商积极的设计HBM，2025年市场竞争影响力也仅有25亿美元

SK海岸边力士是HBM技术开发的再行者，并在新高科技技术开发和世界市场竞争上占去据反超强地位。2014年，SK海岸边力士与AMD联合技术开发了 世界性换用版HBM厂商。SK海岸边力士的HBM3发布新闻7个月后发挥作用了投入采购，将搭载于NVIDIA H100便是。SK海岸边力士在HBM市场竞争已给予60%-70%的世界市场竞争。 HBM赛场持有者八大DRAM巨头，制再为供应商厂也通过换用系统性PVC新高科技进行其中的。SK海岸边力士之后，、美光发布新闻了 各自的HBM厂商，分别迭代至HBM3和HBM2E。制再为供应商供应商以外如带电机粒子、格芯等也在追上HBM系统性的PVC技 术。

HBM在算力积体电机路中的的应用教育籓域范围长时在在增大，2025年市场竞争影响力也将接仅有25亿美元。外资者上都，AMD和NVIDIA相互竞争显卡供应商 已多次在其GPGPU厂商上采行HBM，Intel发布新闻了世界性换用版集转成HBM的x86 CPU，Xilinx在其FPGA厂商中的发布新闻了搭载 HBM的第三部。随着AI新高科技随之增大对极低算力的所需，HBM销售量年末玛开序幕慢速下再降。Omdia月份2025年HBM市场竞争规 模将接仅有25亿美元，是2020年的5倍多。

三、空在在：零售业影响力也与头

再入PVC市场竞争慢速茁壮，影响力也年末超强越传统PVC

月份2027年再入PVC市场竞争影响力也逾651亿美元，2021-2027年CAGR高达致9.6%。根据Yole图表， 世界性PVC市场竞争中的，再入PVC占去比已由2015年的39%更进一步提高至2021年的44%。月份到2027年，再入封 装市场竞争占去比将逾53%，影响力也平均为651亿美元，2021-2027年CAGR平均为9.6%，极少于传统PVC市场竞争 的3.3%和市场竞争连续性的6.3%。

再入PVC内部一般来说极低阶的PVC方式将重原是格外太快增长加有速

倒装稳占去再入PVC远超强过市场份额，2.5D /3D、比如说式积体电机路和扇出转视为下再降最慢的再入PVC建模装置。根据Yole 图表，再入PVC内部市场份额远超强过的造山运摇动为倒装（以外FCBGA、FCCSP、FC-SiP），2021年市场竞争影响力也 平均262.7亿美元，占去比70%。从增长加有速本质来看，一般来说极低阶的PVC方式Fan-Out、2.5D /3D、Embedded Die在善能Android、HPC、自摇动驾驶等教育籓域所需的推摇动下，保持保持稳定极少于再入PVC连续性市场竞争的举例来说增长加有速 。

带电机粒子再入PVC营业盈余与外资花销长时在在下再降

带电机粒子在再入PVC上已取得了可观的盈余用材，新高科技的设计也入入关键性路由装置，预见完成影响力也将长时在在加有 码。根据Yole图表，2020-2022年，带电机粒子在再入PVC上的营业盈余影响力也从36亿美元逾53亿美元，年复 合下再降率为21.3%；在再入PVC上的外资花销从15亿美元逾40亿美元，年举例来说下再降率为63.3%。从 世界市场竞争来看，2022年带电机粒子在再入PVC上的营业盈余影响力也和外资支出分别位居世界性第三和第二。

日夜晚VIPack再入PVC建模装置包含八大基本新高科技

VIPac是日夜晚扩展所设计规则并发挥作用超强极低体积和安全性所设计的下一世代3D异质统合框架。此建模装置依靠再 入的重布线层(RDL)DRAM、比如说式统合以及2.5D/3DPVC新高科技，协助外资者在单个PVC中的统合多个积体电机路 来发挥作用前所所未有的创从新应用教育籓域，日夜晚VIPac由八大基本PVC新高科技组转成。 日夜晚基于极低体积RDL的Fanout Package-on Package (FOPoP)、Fanout Chip-on-Substrate (FOCoS)、Fanout Chip-on-Substrate-Bridge (FOCoS-Bridge) 和Fanout System-in-Package (FOSiP) ，以及基于硼通孔(TSV) 的2.5D/3D IC和Co-Packaged Optics。除了发放可优化时脉加有速、 频宽和电机力传输的极低度统合硼PVC解决蓝图所需的DRAM能力，VIPack™建模装置格外可缩短共同所设计时 在在、厂商技术开发和主框时再为。

世界性OSAT头营业盈余影响力也慢速下再降，外资花销一般来说保持稳定

在OSAT供应商中的，日夜晚、安靠、长电机的PVC销售业务营业盈余影响力也位居世界性前所三，日夜晚因2020年与硼品合 并，营业盈余用材较不断反超强于安靠和长电机。根据Yole图表，2020-2022年，三家新公司的PVC营业盈余影响力也皆 保持保持稳定两位数以上的年举例来说增长加有速，其中的长电机增长加有速最慢，年举例来说增长加有速平均为21.4%。日夜晚在PVC上的外资 花销保持稳定在20亿美元左右侧，安靠与长电机的外资花销保持保持稳定下跌。由于Intel、TSMC与在PVC教育籓域的 大影响力也完成，OSAT供应商的外资花销排名相较营业盈余影响力也排名难免攀升，日夜晚、安靠、长电机分别位居 世界性第三、第五、第六。

四、资讯化的企业深入研究

中的芯国际：制再为供应商零售业移位在即，HPC/ADAS挂钩从新长周期

IC所设计新公司去存货长时在在，制再为供应商厂稼摇动率月份Q2见底：由于个人PC/善能Android等增值带电机粒子端口从2022年Q3开始明 显消散，旺季不旺，IC所设计新公司在本年Q3陆续开始砍单，由于国外所需下再降格外明显，同时新公司部分产线入行了岁修， 所以导致稼摇动率再降至92%，环比下再降了5个九成。Q4开始多国制再为供应商厂联电机的稼摇动率也开始受到所设计新公司砍单影 响下再降了10个九成，中的芯国际的火力发电机依靠率入一步下再降至70%，月份制再为供应商厂稼摇动率随着月份增值带电机粒子所需回 暖Q3开始回升。

极低安全性计算出来（HPC）和自摇动驾驶（ADAS）年末挂钩从新一轮积体电机路长周期向上：2021年世界性积体电机路市场竞争影响力也高达致5559亿 美元，按照河口占去比来看，2022年占去比分别为31%，30%和12%的善能Android、平框电机脑市场竞争和增值带电机粒子皆出原是不断下 滑，电机摇动车依循极低下再降近来，我们多数认为AIGC为值得一提的是的大算力所需将不断更进一步提高GPU的所需，同时电机摇动车向格外极低阶的自 摇动驾驶演入，ADAS覆盖范围长时在在更进一步提高，大算力和车主积体电机路年末转视为从新一轮积体电机路长周期的基本可控。

长电机高科技：ChipletPVC陶瓷建模装置投入采购，探讨2.5/3DPVC

世界性化火力发电机占有优稍稍明显：新公司Steam火力发电机分布在中的国、朝鲜和从新加有坡三地，其中的国外长电机再入探讨bumping，Fan-out CSP制再为级等再入PVC，本部长以BGA、PAPVC，安徽省的池州和沛县化工厂则以传统PVC辅以，多国化工厂以外位于朝鲜 和从新加有坡的原星科金朋化工厂，PVC陶瓷世界性反超强。 长电机再入承载2.5D/3DPVC陶瓷：2022年幼电机再入完转成了XDFOITM 2.5D试验线的工再为建设，已按蓝图入入保持稳定投入采购阶段， 连动发挥作用国际外资者4nm路由装置多积体电机路系统集转成PVC厂商售出。在车主带电机粒子教育籓域，新公司朝鲜化工厂与河口的企业携手采购了 用作从新能源车主大外资者的积体电机路，并将用作该外资者车载Entertainment资讯和ADAS辅助驾驶。

国外化工厂受到增值带电机粒子所需攀升获利不断衰退：由于增值带电机粒子市场竞争所需疲软、下单下再降、价钱竞争愈演愈烈使得火力发电机依靠率再降 低，长电机再入营业盈余及营收较人皆相较分别下再降20%和40%。以转成熟陶瓷辅以的池州和沛县化工厂营业盈余和营收同样出原是不断下 滑，营业盈余分别下再降21%和9%，销售额较上一年同比增大49%和50%。 多国化工厂受益于极低端Steam营业盈余占去比发挥作用逆稍稍下再降：新公司从新加有波和朝鲜化工厂（SCK）通过新高科技换用与改造，优化产线厂商结 构，更进一步提高从新厂商导入投入采购力度，强化机能性采购效率，使得盈余和销售额慢速下跌，销售额同比与日俱增98%，长电机朝鲜JSCK 主要入行极低阶SiP厂商PVC的测试，与本年同期相较，系统级PVC厂商销售业务下单下再降挂钩营业盈余茁壮25%。 2023年外资花销建设：2023年蓝图外资花销为65亿元，同比下再降62.5%，长时在在外资chiplet再入PVC陶瓷。

通富微电机：母公司AMDSteam化工厂，打造出极低安全性CPU/GPUSteam建模装置

母公司AMDSteam销售业务，打造出极低端Steam建模装置：2016年4月29日，新公司外资3.71亿美元，借力产业该基金会完转成母公司AMD泰州 及AMD怡保各85%股权，企图AMD打造出国外极低安全性IPCPU/GPUSteam陶瓷建模装置。通过此次携手，以外两家合资 新公司在内的通富微电机主框公司将完全许可应用教育籓域于AMD的系统性再入Steam新高科技、专利。特别是泰州化工厂，作为极低端Intel积体电机路 Steam两处，可以有效地填补发达国家在这一教育籓域的空白，从而必需格外好的全力支持国产CPU、GPU、传输层IP、基站执行 装置、FPGA（原是场可编再为门阵列）等厂商的采购和投入采购。

构筑ChipletPVC解决蓝图，极低安全性计算出来新高科技加有速厂商投入采购：2021年8月19日，通富微电机2.5D/3D组装厂首台带电机粒子元件— —化学机械抛光带电机粒子元件(CMP)顺利改到南通通富化工厂，为通富微电机入入2.5D/3D再入PVC教育籓域翻开了从取而代之篇章。该再入 PVC组装厂建转成后，新公司将转视为国外最再入的2.5D/3D再入PVC采购及投入采购两处，发挥作用国外在应用教育籓域于HBM(极低带宽内 存)极低安全性PVC新高科技教育籓域的跃升。通富超强威泰州、通富超强威怡保凭借7nm、5nm、FCBGA、Chiplet等再入新高科技优 稍稍，随之强化与AMD等零售业反超强的企业的深度携手，巩固和增大再入厂商市占去率，发挥作用销售业绩稳步下再降。

深高科技：国文件系统储Steam头，的设计极低端Steam陶瓷

母公司沛顿高科技切入读取SteamEntertainment节目：2015年6月新公司以1.1亿美元价钱母公司沛顿高科技，沛顿高科技是世界性第一大独立文件系统制 造商美国金士顿高科技新公司于国外外资的外商独资的企业，主营摇动态随机读取（DRAM）积体电机路PVC和的测试销售业务，通过 并购统合新公司转尝试入入读取积体电机路Steam教育籓域。 企图大该基金会外资合肥沛顿扩充火力发电机：2020年10月新公司企图大该基金会二期通过非刊发募集资金净额14.62 亿元，投建 合肥沛顿高科技，总外资影响力也最少30亿元，新公司股东比重为55.88%，2021年12月正式停产，2022年年末已通过ISO 9001/14001/45001等多项体系审查，并通过原是有外资者PVC厂商大影响力也投入采购审查，蓝图2022年月份入一步积极导入 从新外资者，月份满产后年产值可以高达致28.63亿元。

长时在在完成再入PVC陶瓷保持保持稳定新高科技反超强占有优稍稍：新公司积极的设计极低端Steam陶瓷，建设工再为建设凸块（Bumping）项目，净化在在施 工和首线带电机粒子元件采购正在在。预见新公司将以满足资讯化外资者火力发电机所需和加有强再入PVC新高科技采购为要能，探讨倒装陶瓷 （Flip-chip）、POPt火炉夹PVC新高科技的采购、16层超强薄积体电机路火炉夹新高科技的优化，且是国外唯一通过Intel CPU框架读取认 证的的企业，所有的测试过的读取积体电机路厂商可反之亦然服务设施IntelIP。

报告节选：

（本文列出，不值得一提的是我们的任何外资建议。如需应用教育籓域于系统性资讯，请参阅报告原文。）

精选集报告；也：【预见善库】「链接」

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